Phosphorus ion implantation in SiC: influence of the annealing conditions on dopant activation and defects

Canino, Mariaconcetta (2007) Phosphorus ion implantation in SiC: influence of the annealing conditions on dopant activation and defects, [Dissertation thesis], Alma Mater Studiorum Università di Bologna. Dottorato di ricerca in Fisica, 19 Ciclo. DOI 10.6092/unibo/amsdottorato/329.
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Abstract

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Tipologia del documento
Tesi di dottorato
Autore
Canino, Mariaconcetta
Supervisore
Cavallini, Anna
Co-supervisore
Pioggi, Antonella
Dottorato di ricerca
Fisica
Ciclo
19
Coordinatore
Ortolani, Fabio
Settore disciplinare
Area 02 - Scienze fisiche > FIS/03 Fisica della materia
Settore concorsuale
Area 02 - Scienze fisiche > 02/B - Fisica della materia > 02/B1 Fisica sperimentale della materia
Parole chiave
sic ion implantation annealing dlts defects n+/p diodes
URN:NBN
urn:nbn:it:unibo-317
DOI
10.6092/unibo/amsdottorato/329
Data di discussione
17 Maggio 2007
URI
http://amsdottorato.unibo.it/id/eprint/329

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