Phosphorus ion implantation in SiC: influence of the annealing conditions on dopant activation and defects

Canino, Mariaconcetta (2007) Phosphorus ion implantation in SiC: influence of the annealing conditions on dopant activation and defects, [Dissertation thesis], Alma Mater Studiorum Università di Bologna. Dottorato di ricerca in Fisica, 19 Ciclo. DOI 10.6092/unibo/amsdottorato/329.
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Abstract

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Tipologia del documento
Tesi di dottorato
Autore
Canino, Mariaconcetta
Supervisore
Co-supervisore
Dottorato di ricerca
Ciclo
19
Coordinatore
Settore disciplinare
Settore concorsuale
Parole chiave
sic ion implantation annealing dlts defects n+/p diodes
URN:NBN
DOI
10.6092/unibo/amsdottorato/329
Data di discussione
17 Maggio 2007
URI

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