The incomplete ionization of substitutional dopants in Silicon Carbide

Scaburri, Raffaele (2011) The incomplete ionization of substitutional dopants in Silicon Carbide, [Dissertation thesis], Alma Mater Studiorum Università di Bologna. Dottorato di ricerca in Ingegneria dei materiali, 22 Ciclo. DOI 10.6092/unibo/amsdottorato/3924.
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Abstract

This thesis analyzes theoretically and computationally the phenomenon of partial ionization of the substitutional dopants in Silicon Carbide at thermal equilibrium. It is based on the solution of the charge neutrality equation and takes into account the following phenomena: several energy levels in the bandgap; Fermi-Dirac statistics for free carriers; screening effects on the dopant ionization energies; the formation of impurity bands. A self-consistent model and a corresponding simulation software have been realized. A preliminary comparison of our calculations with existing experimental results is carried out.

Abstract
Tipologia del documento
Tesi di dottorato
Autore
Scaburri, Raffaele
Supervisore
Co-supervisore
Dottorato di ricerca
Scuola di dottorato
Ingegneria industriale
Ciclo
22
Coordinatore
Settore disciplinare
Settore concorsuale
Parole chiave
silicon carbide incomplete ionization screening impurity band
URN:NBN
DOI
10.6092/unibo/amsdottorato/3924
Data di discussione
25 Maggio 2011
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